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    彩名堂参加TMC2023 共同探讨汽车动力系统前沿技术
    2023.07.17

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    7月13日,第十五届汽车动力系统技术年会在青岛召开,本次会议共吸引了来自国内外 500多家机构近 2000位专业代表参加,对汽车碳中和技术路径研究、主要应用场景的动力系统技术发展趋势等方面进行分享和探讨。

    士兰微汽车电子产品线高级市场经理伍志刚在会议现场做了《车规级功率半导体特色封装与先进工艺》主题演讲,分享了士兰微车规级产品的布局,介绍了士兰的IGBT产品、SiC产品,以及在产品制造工艺、封装技术等方面的优势和经验。

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    01  士兰车规模块

    IGBT模块

    SGM820PB8B3TFM

    使用场合:适用于混动和纯电动汽车等应用领域;

    电气特征:彩名堂基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的六单元拓扑模块;

    封装特性:采用导热性优良的DBC技术。

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    IGBT模块

    SSGM1R7PB12B3DTFM

    使用场合:适用于混动和纯电动汽车主驱等应用领域;

    电气特征:采用士兰微最新一代SiC低Rdson的1200V芯片技术;

    封装特性:采用高导热AMB绝缘陶瓷基板技术,银烧结工艺。

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    IGBT模块

    SGM600HF12B4TFD 

    使用场合:应用于大功率变流器、电机传动、太阳能逆变器、UPS系统等;

    电气特征:采用士兰第四代IGBT工艺平台技术,具备低饱和压降,高抗短路能力;

    封装特性:采用绝缘DBC技术。

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    02  士兰汽车电子分立器件

        士兰应用于汽车电子的分立器件包含40-100V各电压平台LVMOS、650V高压超结MOS、1200V SiC MOS及各频率段分立IGBT,可大面积覆盖汽车各系统应用,包括车身域控、电机控制、车载充电及热泵管理等应用,拥有良好的电气特性及可靠性。


    LVMOS

    SVGQ041R3NL5V-2HS

    使用场合:汽车助力转向系统、电子泵系统、风扇应用及底盘安全等;

    电气特征:采用士兰LVMOS工艺40V电压平台制造,具有低导通电阻及优越的开关特性;

    封装特性:采用士兰Wettable PDFN5*6封装,可增强光学检测。

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    LVMOS

    SVGQ041R2NLS-2HF

    使用场合:汽车助力转向系统、电子泵系统、风扇应用及低压电器盒应用等;

    电气特征:采用士兰LVMOS工艺40V电压平台制造,具有优越的开关特性及高雪崩击穿耐量;

    封装特性:采用士兰Wettable sTOLL封装,可增强光学检测。

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    IGBT分立器件

    SGTP50V65UFCR3P7

    使用场合:汽车车载充电机OBC、DC/DC应用、充电桩及光伏应用等;

    电气特征:采用士兰第五代场截止工艺制成,具较低的导通损耗和开关损耗;

    封装特性:采用TO-247-3L封装。

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    03  现场掠影

        彩名堂利用自身在高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、绿色电源芯片技术等多个芯片设计领域的积累,以及不断强化的工艺平台开发能力,不断提升的8吋/12吋硅圆片生产能力、先进化合物半导体生产能力,为汽车客户提供优质的芯片产品系列和系统性的应用解决方案,助力产业的蓬勃发展。

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