2023年5月24-26日，SNEC第十六届(2023)国际太阳能光伏与智慧能源(上海)大会暨展览会，在上海新国际博览中心如期开展。彩名堂作为国内功率半导体的技术领先者，向来访者展示了应用于光伏、新能源的多款高性能功率模块、高能效IGBT器件以及高功率SiC器件等产品和方案。本次展品主要聚焦三大亮点：一是士兰光伏储能模块产品，二是士兰光伏新能源IGBT器件产品方案，三是士兰SiC器件产品方案，吸引了大量现场客户和观众驻足观看和交流。
一、士兰光伏储能模块
士兰光伏储能模块产品，涵盖了工商业、组串电站、储能、集中式电站等领域，尤其在逆变器产品方面表现优异。
1、工商业逆变器
推荐产品：逆变模块（INPC）——SGM450TL7D3TFD
▶ 使用场合：工商业逆变模块，输出功率125kW；
▶ 电气特性：采用士兰5代中频650V IGBT，开关损耗小；
▶ 封装特性：采用士兰D3封装，采用绝缘DBC，铜基板散热。
2、组串电站逆变器
推荐产品：升压模块（飞夸电容boost）——SGM400DCD10D3BTFD
▶ 使用场合：组串电站MPPT升压，面板单路电流60A；
▶ 电气特性：采用士兰5代中频950V IGBT，开关损耗小；
▶ 封装特性：采用士兰D3封装，采用绝缘DBC，铜基板散热。
推荐产品：逆变模块（ANPC）——SGM400TL10A7BTFD
▶ 使用场合：组串电站逆变模块，输出功率225kW；
▶ 电气特性：采用士兰5代中频950V IGBT，开关损耗小；
▶封装特性：采用士兰A7封装，采用绝缘DBC直接散热。
推荐产品：逆变模块（ANPC）——SGM600TL10D5TFD
▶ 使用场合：组串电站逆变模块，输出功率320kW；
▶ 电气特性：采用士兰5代中频950V IGBT，开关损耗小；
▶封装特性：采用士兰D5封装，采用绝缘DBC，铜基板散热。
3、储能逆变器
推荐产品：逆变模块（INPC）——SGM225TL12D4DTFD
▶ 使用场合：储能逆变模块，输出功率100kW；
▶ 电气特性：采用士兰5代中频1200V IGBT，开关损耗小；
▶ 封装特性：采用士兰D4封装，采用绝缘DBC，铜基板散热。
4、集中式逆变器
推荐产品：逆变模块（半桥）——SGM800HF12A3TFD
▶ 使用场合：集中式逆变模块；
▶ 电气特性：采用士兰5代中频1200V IGBT，开关损耗小，可多并联应用；
▶ 封装特性：采用士兰A3封装，采用绝缘DBC，铜基板散热。
推荐产品：逆变模块（半桥）——SGM800HF12B4TFD
▶ 使用场合：集中式逆变模块；
▶ 电气特性：采用士兰5代中频1200V IGBT，开关损耗小，可多并联应用；
▶封装特性：采用士兰A3封装，采用绝缘DBC，铜基板散热。
二、士兰IGBT器件产品方案
士兰IGBT器件产品，随着8吋和12吋产能的建设，实现研发和工艺的显著提升，其中FS5 Trench IGBT 量产，650V IGBT合封SiC SBD 量产，车规级IGBT 量产，12吋 IGBT 量产，并且新一代工艺的IGBT和大功率 IGBT产品研发工作也在顺利推进中。
三、士兰SiC器件产品方案
2022年，士兰在SiC器件产品的研发上取得了新的突破，650V SBD 研发成功，1200V SBD 研发成功，明镓6吋SiC晶圆量产通线，第二代1200V SiC MOS 研发成功，参数性能达到国际领先水平。
光伏新能源应用——士兰1200V 40mΩ SiC MOS
SCDP120R040NP4B 采用彩名堂碳化硅技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效、高功率密度等特点。该产品可广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器等领域。
特点：
▶ 66A，1200V，RDS(on)(typ.)=40mΩ@VGS=15V
▶ 碳化硅技术
▶ 开关损耗低
▶ 低反向恢复电荷
▶ 降低散热要求
▶ 100%雪崩测试
▶ 无铅管脚镀层
▶ 符合RoHS环保标准
光伏新能源应用——士兰1200V 30A SiC SBD
SCDP30S120P2 采用彩名堂碳化硅外延工艺制造而成的肖特基整流二极管，广泛应用于开关电源、不间断和辅助电源、光伏逆变器等领域。
特点：
▶ 30A，1200V
▶ 零反向恢复电流
▶ 正温度系数
▶ 低开关损耗
▶ 散热要求低
四、现场掠影
彩名堂利用自身在高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、绿色电源芯片技术等多个芯片设计领域的积累，以及不断强化的工艺平台开发能力，不断提升的8吋/12吋硅圆片生产能力、先进化合物半导体生产能力，为光伏、新能源客户提供优质的芯片产品系列和系统性的应用解决方案，助力产业的蓬勃发展。
